经常关注我们三易生活相关内容的朋友可能还记得，这些年我们一直在强调智能手机行业的“区别对待”问题。简单来说，这指的是定位更高的旗舰手机，在硬件配置、性能表现、做工用料等方面，与其价格不成比例地明显优于“非旗舰机”的现象。
这一点在影像传感器和SoC领域，可以说是表现得最为明显。一方面，哪怕是三五年前、价格早已跌倒两千元以内的老款顶级影像旗舰，它们的影像配置和拍照效果，大概率也依然可以“秒杀”现在的千元、两千元级别新机。
另一方面，当最近这几年的顶级旗舰SoC每年动辄性能提升百分之二三十、甚至更大幅度时，那些千元机所使用的“（厂商通常自称）省电向”SoC方案，却往往还在用着数年前的老旧架构与制程。甚至就算它们真的更新换代，进步幅度也要远低于同品牌的旗舰平台。于是这也就造成了在整个手机市场里，顶级旗舰与千元机、入门机在性能和体验上的差距，已经被越拉越大。
但如果我们要说，对于大多数普通用户的使用场景而言，真正造成手机“速度”体验差异的根源，根本不是高中低端SoC那看似巨大的架构与性能差异，而是别的因素，大家会不会感到惊讶呢？
骁龙680的GeekBench 6.1.0跑分成绩
为什么会这么说呢？首先，我们以古老、但如今依然还有厂商在使用的“Low-End（绝对低端）”SoC骁龙680为例，它发布于2021年，所使用的CPU架构（A73+A53）更是可以追溯到2016年年中，距今差不多已经有近10年时间。
第五代骁龙8至尊版的Geekbench 6.4.0跑分
但即便是这样一款“超古代芯片”，它目前在跑分软件GeekBench 6里的单核与多核成绩，也能达到当下最先进量产SoC（以第五代骁龙8至尊版为例）大约1/8的水平。如果换成安兔兔评测V11这类综合性能评测软件，那么骁龙680的整体性能表现，则大概是当下顶级旗舰的1/15。
听起来差距很大对不对？但大家要想到，这毕竟是近10年前的古老架构、4年前的老芯片了。在如此大的代差面前，哪怕是15倍的性能差距，似乎也显得合情合理。
更为重要的是，不管是怎样的“性能测试软件”，它们所测得的成绩都是各自设备在理想、满负荷状态下的性能指标。但大家要知道，对于那些新的旗舰手机来说，在日常使用场景下，几乎不太可能“逼出”它们的极限性能水准。
于是乎，在实际的日常使用过程中，这其实就构成了一种变相的“不公平”比拼。因为低端手机本身性能太差，所以它们反而可能在浏览网页、刷微博、在线购物等场景就已经“竭尽全力”，CPU和GPU满负载运转了。而对于高端的旗舰手机来说，别说日常低负载场景，就是拿来打重负载游戏，它们也实际上也用不到理论性能测试里体现出的“峰值性能”。
换句话说，站在消费者的角度而言，“骁龙680们”虽然客观上技术落后、性能拉胯，确实是应该被淘汰、甚至鄙夷的对象，但它们在典型的日常使用场景里，相比于现款的顶级旗舰机型，光看性能、游戏帧率的话，还真不见得会落后到理论上那么大的程度。
那么可能有的朋友会说，就算这样，但低端机的系统往往会格外简化，功能上有大量缺失。
的确如此，但正因为手机厂商知道低端机性能不行，所以这种系统层面的功能简化，反而会“帮助”这类机型些微提升流畅度。比如去掉大量的过度动画效果、减去端侧AI功能等等，虽然可能“不好看”，但俗话说“傻快也是快”对不对？况且现阶段很多手机上的AI功能，本质其实都是在云端服务器上运行，与手机本身的性能高低还真不见得有太多关系。
那么对于现阶段的旗舰机与低端入门级机型来说，到底哪个部分才是真正对“性能差异”、“用户体验”影响最大的呢？
答案，其实是闪存的型号与品质。
Zone UFS理论上能够完全避免传统闪存“随机写入”导致的碎片问题
纵观现在已经发布、或是即将发布的旗舰新机就不难发现，各家在新的闪存技术上又“玩出了花”。有的厂商开始使用UFS 4.1的“满血”四通道模式，也有厂商选择了分区闪存（Zone UFS）技术，通过将热数据完全存储在SLC Cache、且在硬件上避免应用碎片的方式，来让新款旗舰机得到数倍的随机读写性能提升。
这还没完，日前有消息显示，下一代的UFS 5.0闪存标准也已经接近制定完成。其目标读写速度会达到10000MB/s的水准，几乎相当于PC上早期PCIe 5.0 SSD的水平，比现有的UFS 4.1二通道闪存快了超过100%，哪怕是对比刚上市的四通道UFS4.1方案，速度也能再提升接近50%。
而如今的入门级机型呢？有意思的是，“得益”于闪存行业的整体技术换代，它们也有新的闪存可用，而且确实比过去容量更大、价格也有望更低。甚至就连名义上的速度，现在的入门级手机起码也能配上个UFS2.0级别的闪存，空盘测试怎么着也能有500多MB/s的水准，比前些年臭名昭著的eMMC闪存，看起来还是要快多了。
可问题就在于，一方面哪怕是不考虑UFS4.1四通道这种刚上市、还没全面铺开的“性能怪兽”，如今典型旗舰机所采用的双通道UFS4.1满血速度也能有4000MB/s上下，已经是入门级手机的七、八倍之多。
而且这个七八倍的性能差可无关“负载”，它在手机日常使用的任何时候都能体现出来。比如在应用安装、加载，甚至是回看照片或视频时，顶级旗舰机型比入门机的闪存速度快这么多，真就是很明显“流畅”与“卡顿”的区别。
这还没完，还得考虑到手机在长时间使用之后的情况。众所周知，本身会购买、使用低端机型的用户，Ta们的换机周期就可能比其他人更久。但问题就在于，入门级产品配备的“看起来大容量”的闪存，有很大概率会是廉价的QLC方案。
而QLC的最大缺点是什么呢？没错，它比TLC闪存更容易发生掉速现象。而且一旦掉速，QLC闪存的实际性能就会变得非常惨不忍睹。有多惨呢？根据网友实测，即便是价格并不便宜、理论上用的QLC品质“没那么差”的设备，在闪存发生掉速后，实际读写也只剩下50MB/s左右的水平，甚至还不如一些USB2.0时代的U盘快。
这样一来，一台用了一段时间、已经发生闪存掉速的低端入门机和一台刚买几个月，闪存寿命还有许多的旗舰机对比的话，尽管它们的“日常低负载算力”差异可能只有三四倍、甚至更少，但闪存读写速度的差距却可能高达几十、甚至上百倍之多。
大家不妨想象一下，假如同样是在微信上打开相册发送照片这个“典型场景”，旗舰机可能只要1秒就能加载完成，但低端机此时就有可能直接卡住长达一两分钟、甚至更久。这样的体验差距，显然就已经远远无法用SoC的性能、代次差距去解释了。
而且由于厂商们往往并不会主动公开（非旗舰）手机的闪存型号和具体技术规格，这就使得“低端机搭配QLC大容量闪存”的策略，对于不了解的用户来说，反而可能会因为显得“性价比不错”，而变得相当有欺骗性。
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